“助力“新基建”提速——第三代半导体产业需“错位快速发展”防泡沫”

“新基础设施”是最近的热门词之一。 国家发改委近日首次确定了新型基础设施的范围——新型基础设施引领新的快速发展理念，以技术创新为驱动，以新闻互联网为基础，面向优质快速发展需求，数字化转型、智能升级、融合创新等

“在以5g、物联网、产业网络等为代表的‘新基础设施’主要行业，第三代半导体将发挥重要意义。 ”。 北京大学宽带隙半导体研究中心教授沈波表示，作为第三代半导体的宽带隙半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具有高频、高效、高功率、高耐压、耐高温、耐放射性强等优良性能，是新一代移动通信、耐辐射性强的产品 介绍了它是支持能源网络等产业自主创新快速发展和转型升级的重要核心材料和电子元器件

沈波解释说，与目前在功率半导体行业依然占主流地位的以前的硅基器件相比，第三代半导体功率电子器件可以使电子和电器更高效、小型化、智能化。 例如，高电压、大电流、低损耗的碳化硅类功率电子器件和模块可以大规模应用于智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等行业。 高效、小型、中低压氮化镓基功率电子器件和模块可大规模应用于大数据中心、移动通信基站、物联网终端设备电源、手机、笔记本电脑电源适配器、无线快速充电电源等行业，具有巨大的技术特点

其中，第三代半导体高频电子器件在民用和军事行业实现了规模化应用。 特别是由于其具有高频、高功率、大带宽的性能特点，氮化镓射频电子器件和模块在5g移动通信基站的建设中起着不可替代的作用，中国的5g建设高速发展，触发了对氮化镓射频电子器件的诉求迅速增加

放眼国际，2019年全球半导体产业整体处于低迷期，但第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现高增长趋势，大企业通过加强在第三代半导体行业的布局、调整业务行业，扩大了产能供给，整合了并购，增强了竞争力。 与此相对，我国第三代半导体功率电子和高频电子产业处于起步阶段，已经初步形成了从材料、器件到应用的全产业链，但整体技术水平还落后世界领先的3-5年，材料、器件、封装和应用等

“新基础设施”的高速发展为我国第三代半导体产业的快速发展提供了宝贵的机遇，国内市场对第三代半导体材料和设备的诉求迅速提高，终端应用公司也调整了供应链，支持了国内公司，成为至今难以进入供应链的中流。 ”。 第三代半导体产业技术快速发展战术联盟秘书长于坤山说。

最新发布的《第三代半导体产业技术快速发展报告( 2019年)》预测，2024年我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模约200亿元，未来5年复合增长率将超过40%。

面对难得的机遇，坤山建议，中国第三代半导体产业应该更脚踏实地，稳中有远。 “这几年，政策资源大量倾斜，以许多第三代半导体为着力点支持产业，采取了许多措施吸引项目，造成了一些低级重复。 因此，各地大力支持产业的快速发展。 并关注协调、错位的快速发展，搞好项目认识，地方已有产业、人才和资源特点，要考虑财政承载力和政策价格收益率，制定因地制宜的政策。 ”。

另外，第三代半导体产业近两年的市场高速增长，主要是由于国家大力提倡半导体产业自主化而获得的资本进入，以及碳化硅、氮化镓器件在新能源汽车、5g、数据中心等行业的新应用，但目前经济的下滑是电子、自动 导致工业电机等各类产品市场下跌、出口受阻、下游诉求萎缩，、“领域锻炼内功，提高产品性能和竞争力，深入创新应用，扩大增量市场，扩大在库存市场的渗透率，促进第三代半导体产业良性、可持续快速发展， 另外，面对“抢占先机先投入，但市场起步往往低于预期”的矛盾，把握产业的快速发展节奏。 ”。 于坤山强调。 (记者 操秀英)