“薄弱环节破冰 我国半导体产业获重大推进”

近日，芯片国产化概念股异军突起，截至9月23日，wind相关指数上涨至6148.54点，创年内新高。

从领域基本面来看，从年下半年开始，半导体领域经济下滑，但在最新的销售额和设备等出现企业稳定迹象的同时，大陆半导体制造商在存储、晶片制造等以前就在薄弱环节取得了重要进展，许多a股企业推动了芯片的自主国产化

存储项目正在进行中

据统计，半导体类别中存储产品占有最多的同时，随着市场和产业的快速发展，销售额持续扩大。 但长期以来，国际存储行业在三星、美光、赫拉克勒斯垄断的背景下，中国大陆的存储形成了以长江存储、长鑫存储及福建晋华为主的国产化布局，其中后者遭遇了美国的“禁令”，因此，长期以来， 长鑫存储成了最新的破冰之举。

根据安徽省政府官网信息，日前总投资超过2200亿元合肥长鑫集成电路制造基地项目在2019世界制造业大会上签约，其中长鑫记忆12英寸内存晶片制造基地项目总投资约1500亿元。

长鑫存储技术有限企业是我国首家投入批量生产的dram芯片设计制造一体化公司，项目为合肥市产业投资(控股)集团有限企业和兆易创新合作投资，长鑫存储负责管理和运营，是中国大陆唯一拥有完善技术、技术和生产运营团队的dram项目。 其中，兆易创新与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任企业签署《可转换债权投资协议》，承诺以可转换债权方法投资3亿元。

长鑫存储项目将建设3个12英寸dram存储晶圆厂，建成研发、生产、销售为一体的存储芯片国产化生产基地，预计3个月投产，产能每月达到36万片。 基地建成后，产值规模有望超过2000亿元。

对于长鑫存储项目，资本市场反响巨大。 8月中旬以来，兆易创新股价持续上涨，9月23日再次涨停，报收于180.29元，创历史新高。 值得注意的是，当初与兆易创新竞争国际记忆标的issi的北京君正，自9月以来企业股价累计涨幅超过36%，目前这笔收购正在证监会受理。

昨天，兆易创新发布股价交易公告称，经自查，企业计划非公开发行股票若干事项，资金总额约43亿元，主要用于企业dram芯片自主研发和产业化项目及流动资金的补充。 目前，企业收到了众多投资者关于合肥12英寸晶片存储器研发项目的咨询。 企业与合肥产于年10月26日签署合作协议，约定合作开展该项目，项目预算约180亿元，企业负责筹集约36亿元。 企业计划的定增项目与该项目的投资无关。

集体化发展

作为主力的norflash类型存储企业，兆易创新也在该行业刷新国际排名。 根据cinno research第二季度关于存储产业的研究报告，在nor flash行业长期位居第五的兆易创新，超过了美光第四位，创下了中国存储产业新的里程碑。

关于其理由，兆易创新代理社长何卫在接受媒体采访时介绍说，这是因为市场回暖速度较快，以及以tws为代表的服装市场发展迅速。

证券时报记者在8月接受机构调查时指出，兆易创新高管表示，norflash在国内申诉情况依然旺盛，主要受可穿戴设备和物联网模块等新应用的带动。 目前，市场诉求已经超出了企业的供给能力。 今年第二季度以来，供给地的库存清除非常迅速，局部供给陷入紧张状态，而第三季度也是区域繁荣的季节。